만 시간의 법칙

TSV? 반도체를 만드는 과정은 전공정과 후공정으로 크게 나눌 수 있는데 전공정은 웨이퍼 위에 회로를 만드는 과정이다. 이에 반해 후공정은 만들어진 회로를 자르고 외부와 접속할 선을 연결하는 패키징 과정이다. 쉽게 설명하면, 피자의 도우를 만들고 위에 토핑을 올리는 과정까지가 전공정, 피자를 먹기 쉽게 자르고 포장을 하는 과정이 후공정이라 할 수 있다. 기존의 패키징 방법인 와이어 본딩 기술은 아래 그림에서 볼 수 있듯 기판과 반도체 칩을 연결하는 와이어가 칩 가장자리에 위치를 하기 때문에 칩과 기판의 데이터 이동 통로(와이어)의 개수를 늘리는데 한계가 있다. TSV 기술은 그림에서 볼 수 있듯 수백 개의 미세한 구멍을 뚫어 칩을 관통하는 전극을 연결한다. DRAM의 동작속도는 데이터의 이동 통로의 개수..

High Bandwith Memory 고대역메모리, 고대역폭메모리, 광대역폭 메모리는 삼성전자, AMD, SK하이닉스 3D스택방식의 DRAM을 위한 고성능 RAM 인터페이스를 말함. 폰노이만 구조 수학자이자 물리학자인 폰노이만과 다른 사람들이 1945년에 서술한 설명에 기반한 컴퓨터 아키텍쳐는 중앙처리장치(CPU), 메모리, 프로그램의 세 가지 요소로 구성되어 있음. 프로세서(CPU,GPU)는 메모리에서 데이터를 가져와서 처리를 할 때 데이터가 오는 속도가 프로세서의 처리속도를 못 따라가 병목이 생김. CPU, GPU의 속도가 점점 높아지기 때문에 데이터 전송 속도를 높이기 위해 Bandwith(데이터가 가는 길)을 넓힐 수 밖에 없음. HBM의 구조 프로세서와 HBM은 2.5D로 연결되고 D램끼리는 3..